半導体レーザー
デバイスの概要半導体レーザーは、独自の熱源特性、スポットサイズの柔軟な調整、局所的な加熱という特性から、ICチップや製造 業の高度化に伴って従来のワイヤ溶接では解決できなかった問題の解決に大きく貢献しています。半導体レーザーを 熱源とする場合には、光ファイバー伝送が可能であるため、従来の方法では溶接が困難であった箇所での加工が可能 となり、柔軟性に優れ、焦点合わせが良く、マルチステーション装置の自動化が容易となります。
技術パラメータ
technical parameter
UW050-915
モデル

UW050-915

出力電力

50W

出力安定性

<士1%

レーザー波長

915nm

照準・位置決め

赤色光表示付き(溶接ヘッドCCD位置決め)

電源入力

AC220V士10% ,50/60Hz

動作モード

連続

消費電力

<300W

冷却能力要件

0

冷却方法

空冷

外形寸法

610mm X 480mm X 190mm

UW100-915
モデル

UW100-915

出力電力

100W

出力安定性

<士1%

レーザー波長

915nm

照準・位置決め

赤色光表示付き(溶接ヘッドCCD位置決め)

電源入力

AC220V士10%, 50/60Hz

動作モード

連続

消費電力

<600W

冷却能力要件

0

冷却方法

空冷

外形寸法

610mm X 480mmX 190mm

UW200-915
モデル

UW200-915

出力電力

200W

出力安定性

<士1%

レーザー波長

915nm

照準・位置決め

赤色光表示付き(溶接ヘッドCCD位置決め)

電源入力

AC220V士10%, 50/60Hz

動作モード

連続

消費電力

<1.2KW

冷却能力要件

0

冷却方法

空冷

外形寸法

800mm X 480mm X 240mm

UW400-915
モデル

UW400-915

出力電力

400W

出力安定性

<土1%

レーザー波長

915nm

照準・位置決め

带红光指示(焊接头CCD定位)

電源入力

AC380V土10%350/60HZ

動作モード

連続

消費電力

<1. .5KW

冷却能力要件

0.8kw

冷却方法

水冷

外形寸法

800mm X 470mm X 200mm

UW1000-915
モデル

UW1000-915

出力電力

1000W

出力安定性

<士1%

レーザー波長

915nm

照準・位置決め

赤色光表示付き(溶接ヘッドCCD位置決め)

電源入力

AC380V土10%350/60HZ

動作モード

連続

消費電力

<3KW

冷却能力要件

1.5kw

冷却方法

水冷

外形寸法

1420mm X 690mm X 1060mm

UW2000-915
モデル

UW2000-915

出力電力

2000W

出力安定性

<土1%

レーザー波長

915nm

照準・位置決め

赤色光表示付き(溶接ヘッドCCD位置決め)

電源入力

AC380V士10%350/60HZ

動作モード

連続

消費電力

<6KW

冷却能力要件

3kw

冷却方法

水冷

外形寸法

1420mm X 690mm X 1060mm