设备简介半導体レーザーは、独自の熱源特性、スポットサイズの柔軟な調整、局所的な加熱という特性から、ICチップや製造 業の高度化に伴って従来のワイヤ溶接では解決できなかった問題の解決に大きく貢献しています。半導体レーザーを 熱源とする場合には、光ファイバー伝送が可能であるため、従来の方法では溶接が困難であった箇所での加工が可能 となり、柔軟性に優れ、焦点合わせが良く、マルチステーション装置の自動化が容易となります。
技术参数
technical parameter
UW2000-915
モデル

UW2000-915

出力電力

2000W

出力安定性

<土1%

レーザー波長

915nm

照準・位置決め

赤色光表示付き(溶接ヘッドCCD位置決め)

電源入力

AC380V士10%350/60HZ

動作モード

連続

消費電力

<6KW

冷却能力要件

3kw

冷却方法

水冷

外形寸法

1420mm X 690mm X 1060mm